國際半導(dǎo)體電荷存儲技能中，“寫入速度”與“非易失性”兩種功能一直難以兼得。記者日前從復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院得悉，該校張衛(wèi)、周鵬教授團隊研制出具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失性存儲原型器材，創(chuàng)始了第三類存儲技能，不只能夠完成“內(nèi)存級”的數(shù)據(jù)讀寫速度，還能夠按需定制存儲器的數(shù)據(jù)存儲周期。

　　據(jù)張衛(wèi)介紹，現(xiàn)在半導(dǎo)體電荷存儲技能主要有兩類，第一類是易失性存儲，如計算機內(nèi)存，數(shù)據(jù)寫入僅需幾納秒左右，但掉電后數(shù)據(jù)會當(dāng)即消失；第二類對錯易失性存儲，如U盤，數(shù)據(jù)寫入需求幾微秒到幾十微秒，但無需額定能量可保存10年左右。

　　為了研制出兩種功能可兼得的新式電荷存儲技能，該團隊創(chuàng)新性地挑選了多重二維半導(dǎo)體資料，堆疊構(gòu)成了半浮柵結(jié)構(gòu)晶體管：二氧化鉬和二硒化鎢像是一道順手可關(guān)的門，電子易進難出，用于控制電荷運送；氮化硼作為絕緣層，像是一面密不透風(fēng)的墻，使得電子難以進出；而二硫化鉿作為存儲層，用以保存數(shù)據(jù)。周鵬說，只需調(diào)理“門”和“墻”的份額，就能夠完成對“寫入速度”和“非易失性”的調(diào)控。

　　此次研制的第三代電荷存儲技能，寫入速度比現(xiàn)在U盤快1萬倍，數(shù)據(jù)改寫時刻是內(nèi)存技能的156倍，而且具有杰出的調(diào)控性，能夠完成按需“裁剪”數(shù)據(jù)10秒至10年的保存周期。這種全新特性不只能夠極大下降高速內(nèi)存的存儲功耗，同時還能夠完成數(shù)據(jù)有效期截止后天然消失，在特別應(yīng)用場景解決了保密性和傳輸?shù)膶αⅰ?/div>